单 FET，MOSFET

结果 : 5
系列
QFET®UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
100 V200 V250 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Tc）5.4A（Tc）5.5A（Tc）10A（Tc）33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
94 毫欧 @ 16.5A，10V180 毫欧 @ 5A，10V750 毫欧 @ 2.75A，10V2.3 欧姆 @ 2.7A，10V7.2 欧姆 @ 850mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 5 V12 nC @ 5 V15 nC @ 10 V40 nC @ 10 V48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
500 pF @ 25 V520 pF @ 25 V1550 pF @ 25 V2135 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），40W（Tc）2.5W（Ta），45W（Tc）2.5W（Ta），50W（Tc）3.13W（Ta），158W（Tc）235W（Tc）
供应商器件封装
TO-252AATO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252AA
FQD2N90TM
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
onsemi
5,256
现货
1 : ¥11.41000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.70960
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
900 V
1.7A（Tc）
10V
7.2 欧姆 @ 850mA，10V
5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
500 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FQD13N10LTM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
onsemi
8,061
现货
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.20013
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
10A（Tc）
5V，10V
180 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±20V
520 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263
FQB5N90TM
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
onsemi
1,221
现货
57,600
工厂
1 : ¥24.05000
剪切带（CT）
800 : ¥14.53135
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
900 V
5.4A（Tc）
10V
2.3 欧姆 @ 2.7A，10V
5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
1550 pF @ 25 V
-
3.13W（Ta），158W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
onsemi
20
现货
1 : ¥18.23000
剪切带（CT）
800 : ¥10.18868
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
33A（Tc）
10V
94 毫欧 @ 16.5A，10V
5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
2135 pF @ 25 V
-
235W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-252AA
FQD7N20LTM
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.62904
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
5.5A（Tc）
5V，10V
750 毫欧 @ 2.75A，10V
2V @ 250µA
9 nC @ 5 V
±20V
500 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），45W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。