单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
OptiMOS™OptiMOS™ 6OptiMOS™-5PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Ta），9.4A（Tc）7.7A（Ta）， 31A（Tc）88A（Tc）90A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 50A，10V6.2毫欧 @ 45A，10V10.7 毫欧 @ 88A，10V23 毫欧 @ 10A，10V134 毫欧 @ 2.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.3V @ 13µA3.8V @ 59µA3.8V @ 90µA4V @ 250µA4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.9 nC @ 10 V9.3 nC @ 10 V36 nC @ 10 V78 nC @ 10 V87 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
345 pF @ 75 V690 pF @ 50 V3275 pF @ 50 V5200 pF @ 50 V7100 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
2.3W（Ta），26W（Tc）3W（Ta）， 48W（Tc）115W（Tc）167W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）PG-TDSON-8-34PG-TO263-3PG-TSDSON-8 FL
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
13,462
现货
1 : ¥9.61000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.77390
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7.7A（Ta）， 31A（Tc）
8V，10V
23 毫欧 @ 10A，10V
3.3V @ 13µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
690 pF @ 50 V
-
3W（Ta）， 48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8 FL
8-PowerTDFN
8 POWER WDFN
FDMC86244
MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
onsemi
5,715
现货
1 : ¥10.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.15386
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
2.8A（Ta），9.4A（Tc）
6V，10V
134 毫欧 @ 2.8A，10V
4V @ 250µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
345 pF @ 75 V
-
2.3W（Ta），26W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PG-TDSON-8-34
IAUC100N10S5N040ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Infineon Technologies
18,151
现货
1 : ¥21.51000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.33363
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Tc）
6V，10V
4 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 90µA
78 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 50 V
-
167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB107N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Infineon Technologies
5,231
现货
1 : ¥59.69000
剪切带（CT）
1,000 : ¥33.83523
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
88A（Tc）
10V
10.7 毫欧 @ 88A，10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PG-TDSON-8-34
IAUC90N10S5N062ATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Infineon Technologies
7,492
现货
1 : ¥17.57000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.62251
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
6V，10V
6.2毫欧 @ 45A，10V
3.8V @ 59µA
36 nC @ 10 V
±20V
3275 pF @ 50 V
-
115W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。