单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-CoolMOS™ P6U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
30 V60 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）500mA（Ta）7A（Tc）20.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4V4.5V，10V10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 7.6A，10V780 毫欧 @ 3.5A，15V1.5 欧姆 @ 100mA，10V1.5 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2.1V @ 250µA4.5V @ 630µ7V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V1.15 nC @ 5 V11 nC @ 10 V17.5 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21 pF @ 5 V40 pF @ 10 V475 pF @ 100 V1750 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）690mW（Ta）46W（Tc）151W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-220FM
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Infineon Technologies
11,032
现货
1 : ¥22.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
20.2A（Tc）
10V
190 毫欧 @ 7.6A，10V
4.5V @ 630µ
11 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 100 V
-
151W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
265,395
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.23206
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NVR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
onsemi
26,772
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.51742
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.4V @ 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
R6004KNXC7G
R6007JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Rohm Semiconductor
2,017
现货
1 : ¥15.52000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
7A（Tc）
15V
780 毫欧 @ 3.5A，15V
7V @ 1mA
17.5 nC @ 15 V
±30V
475 pF @ 100 V
-
46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220FM
TO-220-3 整包
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。