单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
HEXFET®U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
800mA（Ta）21A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 20A，10V235 毫欧 @ 800mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2.35V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1 nC @ 4.5 V31 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
55 pF @ 10 V2155 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）2.7W（Ta），37W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN 双（3.3x3.3）SSM
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-75，SOT-416
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4,628,962
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39492
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
1.5V，4.5V
235 毫欧 @ 800mA，4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
IRFHM830DTR2PBF
IRFHM830TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Infineon Technologies
7,833
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.76260
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
3.8 毫欧 @ 20A，10V
2.35V @ 50µA
31 nC @ 10 V
±20V
2155 pF @ 25 V
-
2.7W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN 双（3.3x3.3）
8-PowerVDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。