单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-NexFET™TrenchFET® Gen IVU-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Ta），60A（Tc）23.8A（Ta），80.3A（Tc）55A（Tc）60A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.4 毫欧 @ 15A，10V7.5 毫欧 @ 20A，10V9.9 毫欧 @ 12A，10V13.5 毫欧 @ 10A，4.5V23 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 200µA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.5 nC @ 10 V19.7 nC @ 10 V22 nC @ 10 V48 nC @ 10 V50.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1016 pF @ 30 V1150 pF @ 30 V1875 pF @ 30 V1980 pF @ 30 V2713 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta），53W（Tc）2.2W（Ta），41W（Tc）5W（Ta），57W（Tc）66W（Tc）81W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）8-VSONP（3x3.3）POWERDI3333-8PowerDI5060-8PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI3333-8
DMT6008LFG-7
MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Diodes Incorporated
17,381
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.63810
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
13A（Ta），60A（Tc）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
50.4 nC @ 10 V
±12V
2713 pF @ 30 V
-
2.2W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
CSD18543Q3A
MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Texas Instruments
36,102
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.82897
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 12A，10V
2.7V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 30 V
-
66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
PowerPAK SO-8 Single
SIR186LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
3,832
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
23.8A（Ta），80.3A（Tc）
4.5V，10V
4.4 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1980 pF @ 30 V
-
5W（Ta），57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
1,637
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.34518
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
4.5V，10V
13.5 毫欧 @ 10A，4.5V
2.5V @ 200µA
22 nC @ 10 V
±20V
1875 pF @ 30 V
-
81W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
DMPH4015SPSQ-13
DMNH6021SPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
3,458
现货
137,500
工厂
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.40879
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
55A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
19.7 nC @ 10 V
±20V
1016 pF @ 30 V
-
1.6W（Ta），53W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。