单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IVU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）180mA（Ta）400mA（Ta）3A（Ta）6.2A（Ta）15.8A（Ta），52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V，10V5V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7，2 毫欧 @ 10A，10V25 毫欧 @ 4A，10V120 毫欧 @ 2.8A，4.5V1.5 欧姆 @ 100mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V18.4 nC @ 10 V30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.6 pF @ 25 V40 pF @ 10 V50 pF @ 25 V476 pF @ 10 V873 pF @ 15 V1235 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）310mW（Ta）320mW（Ta）900mW（Ta）1.5W（Ta）3.6W（Ta），39W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
110,700
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43742
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3023L-7
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Diodes Incorporated
200,736
现货
5,859,000
工厂
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80711
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.2A（Ta）
2.5V，10V
25 毫欧 @ 4A，10V
1.8V @ 250µA
18.4 nC @ 10 V
±20V
873 pF @ 15 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
2N7002W-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
283,408
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52275
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
PowerPAK 1212-8
SIS862ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Vishay Siliconix
16,776
现货
1 : ¥7.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.91265
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
15.8A（Ta），52A（Tc）
4.5V，10V
7，2 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1235 pF @ 30 V
-
3.6W（Ta），39W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
279,554
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21991
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP510DL-7
MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
50,750
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.34402
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
180mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±30V
24.6 pF @ 25 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。