单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.5 毫欧 @ 10A，10V27.3 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V50 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
880 pF @ 10 V3191 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.5W（Ta），27.7W（Tc）39.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8W
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8W
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8W Bottom View
SQS411ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Vishay Siliconix
3,210
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.83099
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
16A（Tc）
4.5V，10V
27.3 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
3191 pF @ 25 V
-
39.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8W
PowerPAK® 1212-8W
PowerPAK 1212-8
SIS438DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
48,007
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.20631
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
16A（Tc）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 10A，10V
2.3V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 10 V
-
3.5W（Ta），27.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。