单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
HEXFET®STripFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）33A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
42 毫欧 @ 21A，10V75 毫欧 @ 15A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
40 nC @ 10 V65 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1750 pF @ 50 V1990 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
144W（Tc）150W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Infineon Technologies
1,676
现货
1 : ¥15.60000
剪切带（CT）
800 : ¥8.73708
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
33A（Tc）
10V
42 毫欧 @ 21A，10V
5V @ 100µA
40 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 50 V
-
144W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D²PAK
STB30NF20L
MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
STMicroelectronics
330
现货
1 : ¥18.31000
剪切带（CT）
1,000 : ¥8.70182
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
30A（Tc）
10V
75 毫欧 @ 15A，5V
3V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
1990 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。