单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Texas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
FemtoFET™U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Ta）3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，8V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
64 毫欧 @ 500mA，8V69 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.7 nC @ 4.5 V3.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
347 pF @ 15 V430 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）1.25W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
3-PICOSTAR6-UDFNB（2x2）
封装/外壳
3-XFDFN6-WDFN 裸露焊盘
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
23,656
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.29842
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
3-Picostar
CSD17382F4
MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Texas Instruments
5,520
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78885
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.3A（Ta）
1.8V，8V
64 毫欧 @ 500mA，8V
1.2V @ 250µA
2.7 nC @ 4.5 V
10V
347 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。