IGBT 模块

结果 : 7
配置
2 个独立式三相反相器半桥单路
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
160 A200 A300 A400 A1130 A
功率 - 最大值
640 W800 W940 W1595 W1630 W1710 W3060 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.9V @ 15V，200A2V @ 15V，150A2V @ 15V，200A2V @ 15V，80A2.1V @ 15V，100A2.1V @ 15V，600A
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
7 nF @ 25 V13.7 nF @ 25 V14 nF @ 25 V20 nF @ 25 V26 nF @ 25 V51 nF @ 25 V
输入
三相桥式整流器标准
NTC 热敏电阻
无是
封装/外壳
D-3 模块模块
供应商器件封装
D3模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
GCMS080A120B1H1
GSID080A120B1A5
IGBT MOD 1200V 160A 1710W
SemiQ
0
现货
停产
散装
停产
-
单路
1200 V
160 A
1710 W
2V @ 15V，80A
1 mA
7 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
GSID100A120T2C1
GSID100A120T2C1
IGBT MOD 1200V 200A 640W
SemiQ
0
现货
停产
散装
停产
-
三相反相器
1200 V
200 A
640 W
2.1V @ 15V，100A
1 mA
13.7 nF @ 25 V
三相桥式整流器
是
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
GSID100A120T2C1
GSID100A120T2C1A
IGBT MOD 1200V 200A 800W
SemiQ
0
现货
停产
散装
停产
-
三相反相器
1200 V
200 A
800 W
2.1V @ 15V，100A
1 mA
13.7 nF @ 25 V
三相桥式整流器
是
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
GSID150A120S3B1
GSID150A120S3B1
IGBT MODULE 1200V 300A 940W D3
SemiQ
0
现货
停产
散装
停产
-
2 个独立式
1200 V
300 A
940 W
2V @ 15V，150A
1 mA
14 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C
底座安装
D-3 模块
D3
GSID150A120S3B1
GSID200A120S3B1
IGBT MODULE 1200V 400A 1595W D3
SemiQ
0
现货
停产
散装
停产
-
2 个独立式
1200 V
400 A
1595 W
2V @ 15V，200A
1 mA
20 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C
底座安装
D-3 模块
D3
GSID150A120S3B1
GSID200A170S3B1
IGBT MODULE 1200V 400A 1630W D3
SemiQ
0
现货
停产
散装
停产
-
2 个独立式
1200 V
400 A
1630 W
1.9V @ 15V，200A
1 mA
26 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C
底座安装
D-3 模块
D3
GSID600A120S4B1
GSID600A120S4B1
IGBT MOD 1200V 1130A 3060W
SemiQ
0
现货
停产
散装
停产
-
半桥
1200 V
1130 A
3060 W
2.1V @ 15V，600A
1 mA
51 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
显示
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IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。