FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 个 N 通道（半桥）2 个 P 沟道（双）
漏源电压（Vdss）
40V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.8A-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.95 毫欧 @ 30A，10V55 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24nC @ 10V88nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1293pF @ 30V12400pF @ 20V
功率 - 最大值
1.2W12W
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）22-PowerTFDFN
供应商器件封装
8-SO22-VSON-CLIP（5x6）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
22-VSON-CLIP
CSD88584Q5DC
MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP
Texas Instruments
8,449
现货
1 : ¥29.80000
剪切带（CT）
2,500 : ¥14.49382
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 N 通道（半桥）
-
40V
-
0.95 毫欧 @ 30A，10V
2.3V @ 250µA
88nC @ 4.5V
12400pF @ 20V
12W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
22-PowerTFDFN
22-VSON-CLIP（5x6）
8 SO
DMP6050SSD-13
MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8SO
Diodes Incorporated
35,727
现货
305,000
工厂
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.52803
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
60V
4.8A
55 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
24nC @ 10V
1293pF @ 30V
1.2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
22-VSON-CLIP
CSD88584Q5DCT
MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP
Texas Instruments
2,770
现货
1 : ¥37.19000
剪切带（CT）
250 : ¥16.68628
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 N 通道（半桥）
-
40V
-
0.95 毫欧 @ 30A，10V
2.3V @ 250µA
88nC @ 4.5V
12400pF @ 20V
12W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
22-PowerTFDFN
22-VSON-CLIP（5x6）
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。