单 FET,MOSFET

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Micro Commercial CoRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS®-P2OptiMOS™TrenchFET®TrenchP™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V30 V40 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.3A(Ta)6.2A(Ta)50A(Tc)60A70A(Tc)80A(Ta)80A(Tc)90A(Ta)90A(Tc)120A(Tc)140A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.8 毫欧 @ 100A,10V4.3 毫欧 @ 45A,10V4.3 毫欧 @ 90A,10V4.7 毫欧 @ 80A,10V4.7 毫欧 @ 90A,10V5.2 毫欧 @ 40A,10V7.1 毫欧 @ 70A, 10V8 毫欧 @ 20A,10V9 毫欧 @ 70A,10V9.4 毫欧 @ 17A,10V25 毫欧 @ 4A,10V50 毫欧 @ 4.3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 1mA2.2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 340µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15 nC @ 5 V18.4 nC @ 10 V97 nC @ 10 V105 nC @ 10 V154 nC @ 10 V155 nC @ 10 V158 nC @ 10 V172 nC @ 10 V176 nC @ 10 V200 nC @ 10 V205 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+5V,-16V±8V+10V,-20V±15V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
830 pF @ 10 V873 pF @ 15 V5235 pF @ 20 V5550 pF @ 20 V6675 pF @ 20 V7700 pF @ 10 V7770 pF @ 10 V10300 pF @ 25 V11570 pF @ 25 V13500 pF @ 25 V14790 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
900mW(Ta)1.3W(Ta)100W(Tc)101W(Tc)110W125W(Tc)136W(Tc)180W(Tc)298W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKDPAK+Micro3™/SOT-23PG-TO252-3-313PG-TO263-3-2SOT-23-3TO-247(IXTH)TO-252TO-252AA
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果

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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN3023L-7
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Diodes Incorporated
200,648
现货
5,859,000
工厂
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80711
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.2A(Ta)
2.5V,10V
25 毫欧 @ 4A,10V
1.8V @ 250µA
18.4 nC @ 10 V
±20V
873 pF @ 15 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
110,662
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88633
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
50 毫欧 @ 4.3A,4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
RB098BM-40FNSTL
RD3G07BATTL1
PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Rohm Semiconductor
10,408
现货
1 : ¥18.72000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.43659
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
70A(Tc)
4.5V,10V
7.1 毫欧 @ 70A, 10V
2.5V @ 1mA
105 nC @ 10 V
±20V
5550 pF @ 20 V
-
101W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
1,966
现货
1 : ¥18.72000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.57438
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Ta)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 45A,10V
2V @ 1mA
172 nC @ 10 V
+10V,-20V
7700 pF @ 10 V
-
180W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90P04P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
8,922
现货
1 : ¥20.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.38390
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 90A,10V
2.2V @ 250µA
176 nC @ 10 V
+5V,-16V
11570 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120P04P404ATMA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Infineon Technologies
13,437
现货
1 : ¥30.70000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.88113
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
-
3.8 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 340µA
205 nC @ 10 V
±20V
14790 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
MBRD6100CT-TP
MCU60P04-TP
P-CHANNEL MOSFET,DPAK
Micro Commercial Co
18,689
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.13181
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A
4.5V,10V
8 毫欧 @ 20A,10V
2.8V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
5235 pF @ 20 V
-
110W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90P04P405ATMA2
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
1,336
现货
1 : ¥20.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.38390
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
10V
4.7 毫欧 @ 90A,10V
4V @ 250µA
154 nC @ 10 V
±20V
10300 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SQD50P04-09L_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Vishay Siliconix
9,679
现货
1 : ¥22.99000
剪切带(CT)
2,000 : ¥11.17790
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
4.5V,10V
9.4 毫欧 @ 17A,10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
6675 pF @ 20 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80P04P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Infineon Technologies
7,705
现货
1 : ¥24.05000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.22691
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
4.5V,10V
4.7 毫欧 @ 80A,10V
2.2V @ 250µA
176 nC @ 10 V
+5V,-16V
11570 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
5,565
现货
1 : ¥17.57000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.16775
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Ta)
6V,10V
5.2 毫欧 @ 40A,10V
3V @ 1mA
158 nC @ 10 V
+10V,-20V
7770 pF @ 10 V
-
100W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH140P05T
MOSFET P-CH 50V 140A TO247
Littelfuse Inc.
245
现货
1 : ¥80.21000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
140A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 70A,10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±15V
13500 pF @ 25 V
-
298W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO252-3
IPD90P04P4L04ATMA1
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥20.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.38390
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 90A,10V
2.2V @ 250µA
176 nC @ 10 V
±16V
11570 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 13

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。