单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-StrongIRFET™ 2TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A(Ta)282A(Tc)602A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.85 毫欧 @ 20A,10V1.4 毫欧 @ 100A,10V12.8 毫欧 @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA3.5V @ 250µA3.8V @ 267µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
115 nC @ 10 V255 nC @ 10 V275 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6300 pF @ 30 V12000 pF @ 40 V16070 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.4W(Ta)300W(Tc)600W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
8-SOPPG-TO263-7-14PowerPAK® 8 x 8
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 8 x 8TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK_8X8L_Top
SQJQ160E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Vishay Siliconix
4,329
现货
1 : ¥27.83000
剪切带(CT)
2,000 : ¥13.56428
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
602A(Tc)
10V
0.85 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
275 nC @ 10 V
±20V
16070 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
IPF014N08NF2SATMA1
IPF014N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Infineon Technologies
1,037
现货
1 : ¥38.50000
剪切带(CT)
800 : ¥23.26505
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
282A(Tc)
6V,10V
1.4 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 267µA
255 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 40 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-14
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
8-SOIC
RS3L110ATTB1
PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
Rohm Semiconductor
2,239
现货
1 : ¥26.44000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.84465
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
11A(Ta)
4.5V,10V
12.8 毫欧 @ 11A, 10V
2.5V @ 1mA
115 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 30 V
-
1.4W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
/ 3

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。