单 FET，MOSFET

结果 : 12
系列
HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V55 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.1A（Ta）17A（Tc）23A（Ta），100A（Tc）31A（Tc）33A（Tc）40A（Tc）42A（Tc）57A（Tc）74A（Tc）100A（Tc）202A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 50A，10V2.8 毫欧 @ 50A，10V4 毫欧 @ 121A，10V20 毫欧 @ 38A，10V20 毫欧 @ 42A，10V23 毫欧 @ 28A，10V44 毫欧 @ 16A，10V57.5 毫欧 @ 3.1A，10V60 毫欧 @ 16A，10V60 毫欧 @ 24A，10V90 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 49µA2.8V @ 50µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V37 nC @ 10 V63 nC @ 10 V71 nC @ 10 V130 nC @ 10 V180 nC @ 10 V196 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
340 pF @ 25 V920 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V1960 pF @ 25 V2700 pF @ 25 V2700 pF @ 30 V3130 pF @ 25 V3400 pF @ 25 V3500 pF @ 25 V4400 pF @ 30 V5669 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）2.5W（Ta），83W（Tc）3.8W（Ta），70W（Tc）83W（Tc）110W（Tc）130W（Tc）170W（Tc）200W（Tc）333W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKPG-TDSON-8PG-TDSON-8-7SOT-223TO-220AB
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-220-3TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF540NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Infineon Technologies
135,099
现货
1 : ¥7.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
33A（Tc）
10V
44 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Infineon Technologies
9,450
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
800 : ¥6.64328
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
33A（Tc）
10V
44 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220AB PKG
IRF3710PBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Infineon Technologies
4,822
现货
1 : ¥13.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
57A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 28A，10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF4905PBF
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Infineon Technologies
40,526
现货
1 : ¥17.40000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
74A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Infineon Technologies
7,540
现货
1 : ¥19.79000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 24A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
8-Power TDFN
BSC028N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
2,739
现货
1 : ¥19.95000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.66072
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
23A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
2.8 毫欧 @ 50A，10V
2.8V @ 50µA
37 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF4905STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Infineon Technologies
8,124
现货
1 : ¥22.25000
剪切带（CT）
800 : ¥12.42841
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
42A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 42A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
170W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT223-3L
IRFL024ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Infineon Technologies
96,803
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.88622
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
5.1A（Ta）
10V
57.5 毫欧 @ 3.1A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Infineon Technologies
5,167
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
800 : ¥5.57179
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Tc）
10V
90 毫欧 @ 9A，10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），70W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220AB PKG
IRF5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Infineon Technologies
37,858
现货
1 : ¥11.33000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
31A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF1404PBF
MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Infineon Technologies
2,100
现货
1 : ¥12.40000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
202A（Tc）
10V
4 毫欧 @ 121A，10V
4V @ 250µA
196 nC @ 10 V
±20V
5669 pF @ 25 V
-
333W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
BSC0805LSATMA1
BSC0702LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8
Infineon Technologies
17,481
现货
1 : ¥14.29000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.20261
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 49µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4400 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。