单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
60 V100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）35A（Tc）43A（Tc）171A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.9 毫欧 @ 103A，10V26.3 毫欧 @ 35A，10V54 毫欧 @ 26A，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 39µA2.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
39 nC @ 10 V91 nC @ 10 V227 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V2700 pF @ 25 V2900 pF @ 25 V10470 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）3.8W（Ta），300W（Tc）71W（Tc）517W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKPG-TO263-3SOT-23-3TO-247AC
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS38N20DTRLP
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Infineon Technologies
1,819
现货
1 : ¥25.86000
剪切带（CT）
800 : ¥15.62634
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
43A（Tc）
10V
54 毫欧 @ 26A，10V
5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-247-3 AC EP
IRFP4568PBF
MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC
Infineon Technologies
1,354
现货
1 : ¥62.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
171A（Tc）
10V
5.9 毫欧 @ 103A，10V
5V @ 250µA
227 nC @ 10 V
±30V
10470 pF @ 50 V
-
517W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
SOT-23-3
2N7002L
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
71,303
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.38482
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Infineon Technologies
4,475
现货
1 : ¥16.99000
剪切带（CT）
1,000 : ¥8.05177
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
35A（Tc）
4.5V，10V
26.3 毫欧 @ 35A，10V
2.4V @ 39µA
39 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。