单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.2A（Ta）8A（Ta），40A（Tc）12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 20A，10V110 毫欧 @ 4.5A，10V213 毫欧 @ 1A，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA3.5V @ 12µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17.2 nC @ 10 V25 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
969 pF @ 30 V1700 pF @ 50 V4355 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.97W（Ta）2.1W（Ta），63W（Tc）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8PowerPAK® SO-8U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSZ160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
43,890
现货
1 : ¥12.81000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.04048
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
8A（Ta），40A（Tc）
6V，10V
16 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 12µA
25 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 50 V
-
2.1W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
PowerPak SO-8L
SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,421
现货
1 : ¥15.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.03602
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
12A（Tc）
6V，10V
213 毫欧 @ 1A，4V
3.5V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4355 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
U-DFN2020-6 Type F
DMP6110SFDF-7
MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
80,731
现货
1,281,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.24606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.2A（Ta）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
17.2 nC @ 10 V
±20V
969 pF @ 30 V
-
1.97W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6（F 类）
6-UDFN 裸露焊盘
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。