单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Micro Commercial CoVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Tj）6.1A（Ta），7.5A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 20A，10V22.7毫欧 @ 5A，10V105 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA2.2V @ 250µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 4.5 V25.2 nC @ 10 V75 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+16V，-20V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
247 pF @ 30 V980 pF @ 15 V5814 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.2W1.3W（Ta），2.5W（Tc）130W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C
供应商器件封装
DPAKSOT-23SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MBRD6100CT-TP
MCU60P06-TP
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Micro Commercial Co
368
现货
1 : ¥19.62000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.83470
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
5814 pF @ 25 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT 23
SI2310B-TP
MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Micro Commercial Co
102,920
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53750
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Tj）
4.5V，10V
105 毫欧 @ 3A，10V
1.3V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±16V
247 pF @ 30 V
-
1.2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2393DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
Vishay Siliconix
11,718
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07319
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.1A（Ta），7.5A（Tc）
4.5V，10V
22.7毫欧 @ 5A，10V
2.2V @ 250µA
25.2 nC @ 10 V
+16V，-20V
980 pF @ 15 V
-
1.3W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。