单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Microchip Technologyonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）袋
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V350 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120mA（Tj）13A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.3 毫欧 @ 13A，10V25 欧姆 @ 120mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA-
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
300 pF @ 25 V3845 pF @ 15 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
1W（Tc）2.5W（Ta）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICTO-92（TO-226）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS6679AZ
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
onsemi
21,794
现货
62,500
工厂
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.19181
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13A（Ta）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 13A，10V
3V @ 250µA
96 nC @ 10 V
±25V
3845 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
DN2535N3-G
MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
Microchip Technology
1,702
现货
1 : ¥7.47000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
350 V
120mA（Tj）
0V
25 欧姆 @ 120mA，0V
-
-
±20V
300 pF @ 25 V
耗尽模式
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92（TO-226）
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。