单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-HEXFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
210mA（Ta）3.4A（Ta）3.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.65V，4.5V1.8V，10V2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 3A，10V63 毫欧 @ 3.4A，4.5V3.4 欧姆 @ 10mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 10µA1.2V @ 1mA1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.9 nC @ 4.5 V7.9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±10V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11 pF @ 10 V270 pF @ 24 V560 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）500mW（Ta）1.3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
ES6Micro3™/SOT-23SOT-723
封装/外壳
SOT-563，SOT-666SOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-723_631AA
NTK3043NT1G
MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723
onsemi
87,186
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.50382
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
210mA（Ta）
1.65V，4.5V
3.4 欧姆 @ 10mA，4.5V
1.3V @ 250µA
-
±10V
11 pF @ 10 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
SOT-23-3
IRLML6346TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Infineon Technologies
72,932
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83414
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.4A（Ta）
2.5V，4.5V
63 毫欧 @ 3.4A，4.5V
1.1V @ 10µA
2.9 nC @ 4.5 V
±12V
270 pF @ 24 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
10,974
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.95642
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.6A（Ta）
1.8V，10V
50 毫欧 @ 3A，10V
1.2V @ 1mA
7.9 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
150°C
表面贴装型
ES6
SOT-563，SOT-666
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。