单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
EPCInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
eGaN®OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计停产在售
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A（Ta），40A（Tc）8A（Tc）10A（Ta）16A（Ta）18A（Ta）90A（Ta）101A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8毫欧 @ 50A，5V3.2 毫欧 @ 25A，5V7 毫欧 @ 16A，5V16 毫欧 @ 10A，5V16 毫欧 @ 11A，5V24 毫欧 @ 12A，10V26.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 43µA2.5V @ 12mA2.5V @ 14mA2.5V @ 250µA2.5V @ 2mA2.5V @ 3mA2.5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 5 V4.5 nC @ 5 V6.5 nC @ 5 V14.5 nC @ 10 V21 nC @ 10 V23 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
300 pF @ 20 V420 pF @ 50 V540 pF @ 15 V685 pF @ 50 V1500 pF @ 50 V1600 pF @ 50 V3200 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3W（Tc）78W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
7-QFN（3x5）PG-TDSON-8-1SOT-23-3（TO-236）模具
封装/外壳
7-PowerWQFN8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2014C
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
EPC
41,207
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.43286
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
40 V
10A（Ta）
5V
16 毫欧 @ 10A，5V
2.5V @ 2mA
2.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
300 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
PG-TDSON-8-1
BSC265N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Infineon Technologies
14,668
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.82597
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.5A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
26.5 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 43µA
21 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 50 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
eGaN Series
EPC2016C
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
99,418
现货
1 : ¥21.26000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.59457
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
18A（Ta）
5V
16 毫欧 @ 11A，5V
2.5V @ 3mA
4.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
420 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
34,226
现货
1 : ¥30.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥14.97518
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
16A（Ta）
5V
7 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 5mA
6.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
685 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
64,996
现货
1 : ¥54.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥30.13009
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
101A（Ta）
5V
1.8毫欧 @ 50A，5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V，-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
eGaN Series
EPC2022
GANFET N-CH 100V 90A DIE
EPC
5,415
现货
1 : ¥73.64000
剪切带（CT）
1,000 : ¥41.75392
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
90A（Ta）
5V
3.2 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 12mA
-
+6V，-4V
1500 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
SOT-23-3
SQ2348ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Vishay Siliconix
1,283
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Tc）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。