单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）4A（Ta）4.1A（Ta）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 50A，10V44 毫欧 @ 4.3A，10V67 毫欧 @ 4.1A，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA2V @ 1mA3.5V @ 150µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.2 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V117 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V760 pF @ 75 V1200 pF @ 15 V8410 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）1.4W（Ta）2.5W（Ta），5W（Tc）214W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICPG-TO263-3SOT-23-3
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
434,165
现货
9,933,000
工厂
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32716
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
AO3401A
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
755,304
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80150
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
2.5V，10V
44 毫欧 @ 4.3A，10V
1.3V @ 250µA
12.2 nC @ 4.5 V
±12V
1200 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
FDS86242
FDS86242
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
onsemi
24,294
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.75208
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
4.1A（Ta）
6V，10V
67 毫欧 @ 4.1A，10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 75 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Infineon Technologies
37,347
现货
1 : ¥22.49000
剪切带（CT）
1,000 : ¥11.64273
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Tc）
6V，10V
4.2 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 150µA
117 nC @ 10 V
±20V
8410 pF @ 50 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。