单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIHEXFET®SIPMOS®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）16A（Tc）30A（Tc）37A（Tc）48A（Tc）50A（Tc）130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 75A，10V11.5 毫欧 @ 30A，10V27 毫欧 @ 10A，5V27.3 毫欧 @ 8A，10V28 毫欧 @ 12.5A，10V75 毫欧 @ 21.5A，10V160 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 1.7mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.4 nC @ 10 V17.1 nC @ 5 V48 nC @ 10 V50 nC @ 10 V115 nC @ 10 V145 nC @ 10 V250 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
340 pF @ 48 V1535 pF @ 25 V2703 pF @ 25 V3191 pF @ 25 V6035 pF @ 25 V6600 pF @ 25 V7670 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
35W（Tc）39.5W（Tc）62W（Tc）95W（Tc）125W（Tc）136W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKLFPAK56，Power-SO8PG-TO252-3PowerPAK® 1212-8WTO-220ABTO-252AA
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8WSC-100，SOT-669TO-220-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8W Bottom View
SQS411ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Vishay Siliconix
3,210
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.83110
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
16A（Tc）
4.5V，10V
27.3 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
3191 pF @ 25 V
-
39.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8W
PowerPAK® 1212-8W
TO-252
SQD50P08-28_GE3
MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Vishay Siliconix
6,833
现货
1 : ¥21.76000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.82615
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
48A（Tc）
10V
28 毫欧 @ 12.5A，10V
3.5V @ 250µA
145 nC @ 10 V
±20V
6035 pF @ 25 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220AB PKG
IRFB4310PBF
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Infineon Technologies
6,441
现货
1 : ¥22.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
130A（Tc）
10V
7 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 250µA
250 nC @ 10 V
±20V
7670 pF @ 50 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD10P6F6
MOSFET P CH 60V 10A DPAK
STMicroelectronics
7,420
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.26878
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10A（Tc）
10V
160 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 250µA
6.4 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 48 V
-
35W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252
SQD40131EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Vishay Siliconix
4,065
现货
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.40740
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Tc）
4.5V，10V
11.5 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
115 nC @ 10 V
±20V
6600 pF @ 25 V
-
62W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
SPD30P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Infineon Technologies
15,099
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.33778
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Tc）
10V
75 毫欧 @ 21.5A，10V
4V @ 1.7mA
48 nC @ 10 V
±20V
1535 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y25-80E,115
MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,910
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.18497
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
37A（Tc）
5V，10V
27 毫欧 @ 10A，5V
2.1V @ 1mA
17.1 nC @ 5 V
±10V
2703 pF @ 25 V
-
95W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
TO-252
SQD50P08-28-T4_GE3
MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
2,500 : ¥5.37854
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
48A（Tc）
10V
28 毫欧 @ 12.5A，10V
3.5V @ 250µA
145 nC @ 10 V
±20V
6035 pF @ 25 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。