单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
CoolSiC™MESH OVERLAY™, MESH OVERLAY™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
300 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
74 毫欧 @ 16.7A，18V330 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA5.7V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V28 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+20V，-2V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
780 pF @ 25 V930 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
103W（Tc）133W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-41TO-252（DPAK）
封装/外壳
TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
DPAK
STD10NF30
MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK
STMicroelectronics
4,519
现货
1 : ¥11.82000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.87582
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
10A（Tc）
10V
330 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
780 pF @ 25 V
-
103W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IMW65R039M1HXKSA1
IMW65R057M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Infineon Technologies
88
现货
1 : ¥76.35000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
35A（Tc）
18V
74 毫欧 @ 16.7A，18V
5.7V @ 5mA
28 nC @ 18 V
+20V，-2V
930 pF @ 400 V
-
133W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。