单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）39A（Tc）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15.5 毫欧 @ 10A，10V15.6 毫欧 @ 40A， 10V19.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16.7 nC @ 10 V28 nC @ 10 V36 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
780 pF @ 40 V1080 pF @ 50 V2040 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），52W（Tc）32W（Tc）59W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SIS468DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
3,000
现货
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.30101
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
30A（Tc）
4.5V，10V
19.5 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±20V
780 pF @ 40 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-HSMT
RQ3P300BHTB1
NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
14,219
现货
1 : ¥19.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.62407
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
39A（Tc）
6V，10V
15.5 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 1mA
36 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 50 V
-
32W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
8-HSMT
RH6P040BHTB1
NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
5,435
现货
1 : ¥14.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.57182
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
6V，10V
15.6 毫欧 @ 40A， 10V
4V @ 1mA
16.7 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 50 V
-
59W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。