单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Ta），80A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.6 毫欧 @ 50A，4.5V9.3 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 110µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27.6 nC @ 4.5 V240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4100 pF @ 10 V9200 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.4W（Ta），250W（Tc）2.8W（Ta），48W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1TO-220AB
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB
SUP90P06-09L-E3
MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
Vishay Siliconix
1,451
现货
1 : ¥43.92000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 25 V
-
2.4W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PG-TDSON-8-1
BSC046N02KSGAUMA1
MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
Infineon Technologies
4,973
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
19A（Ta），80A（Tc）
2.5V，4.5V
4.6 毫欧 @ 50A，4.5V
1.2V @ 110µA
27.6 nC @ 4.5 V
±12V
4100 pF @ 10 V
-
2.8W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。