单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®HiPerFET™, Ultra X3MDmesh™ DM6MDmesh™ VOptiMOS™STripFET™ IITrenchFET®UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带管件
漏源电压（Vdss）
100 V200 V250 V300 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.3A（Ta）17A（Tc）33A（Tc）35A（Tc）38A（Tc）42A（Tc）44A（Tc）53A（Tc）65A（Tc）72A（Tc）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 20A，10V19 毫欧 @ 36A，10V22 毫欧 @ 4.4A，10V30 毫欧 @ 15A，10V35 毫欧 @ 35A，10V40 毫欧 @ 26.5A，10V40.7 毫欧 @ 44A，10V71 毫欧 @ 19A，10V75 毫欧 @ 17A，10V94 毫欧 @ 16.5A，10V100 毫欧 @ 17A，10V105 毫欧 @ 16.5A，10V165 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 270µA4V @ 54µA4V @ 90µA4.5V @ 1.5mA5V @ 1mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V29.5 nC @ 10 V30 nC @ 10 V48 nC @ 10 V51 nC @ 10 V57 nC @ 10 V75 nC @ 10 V80 nC @ 10 V82 nC @ 10 V87 nC @ 10 V90 nC @ 10 V95 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1000 pF @ 25 V1500 pF @ 25 V1530 pF @ 25 V2135 pF @ 25 V2300 pF @ 100 V2410 pF @ 100 V3200 pF @ 25 V4050 pF @ 25 V4240 pF @ 100 V4500 pF @ 25 V5400 pF @ 25 V6490 pF @ 50 V7180 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）107W（Tc）110W（Tc）150W（Tc）211W（Tc）235W（Tc）250W（Tc）278W（Tc）300W（Tc）375W（Tc）390W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SODPAKLPTSPG-TDSON-8-1PG-TO263-3PG-TO263-3-2TO-263（D2PAK）TO-263AA（IXFA）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
显示
/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF7495TRPBF
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Infineon Technologies
16,095
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
4,000 : ¥5.08764
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7.3A（Ta）
10V
22 毫欧 @ 4.4A，10V
4V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
1530 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
MFG_DPAK(TO252-3)
STD18NF25
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
STMicroelectronics
4,567
现货
1 : ¥17.49000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.87084
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
17A（Tc）
10V
165 毫欧 @ 8.5A，10V
4V @ 250µA
29.5 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
onsemi
741
现货
1 : ¥18.23000
剪切带（CT）
800 : ¥10.18868
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
33A（Tc）
10V
94 毫欧 @ 16.5A，10V
5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
2135 pF @ 25 V
-
235W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB17N25S3100ATMA1
MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Infineon Technologies
7,735
现货
1 : ¥18.55000
剪切带（CT）
1,000 : ¥8.81331
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
17A（Tc）
10V
100 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 54µA
19 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 25 V
-
107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PG-TDSON-8-1
BSC350N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Infineon Technologies
10,594
现货
1 : ¥24.14000
剪切带（CT）
5,000 : ¥11.26590
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
35A（Tc）
10V
35 毫欧 @ 35A，10V
4V @ 90µA
30 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 100 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-263 (D2Pak)
SQM10250E_GE3
MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Vishay Siliconix
9,708
现货
1 : ¥25.37000
剪切带（CT）
800 : ¥15.31416
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
65A（Tc）
7.5V，10V
30 毫欧 @ 15A，10V
3.5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
4050 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2Pak
STB46NF30
MOSFET N-CH 300V 42A D2PAK
STMicroelectronics
644
现货
1 : ¥30.62000
剪切带（CT）
1,000 : ¥15.82210
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
42A（Tc）
10V
75 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2Pak
STB46N30M5
MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
STMicroelectronics
1,893
现货
1 : ¥74.38000
剪切带（CT）
1,000 : ¥42.19265
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
53A（Tc）
10V
40 毫欧 @ 26.5A，10V
5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±25V
4240 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
SUM70042E-GE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Vishay Siliconix
1,929
现货
1 : ¥23.56000
带
带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150A（Tc）
7.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
6490 pF @ 50 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB407N30NATMA1
MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK
Infineon Technologies
1,023
现货
1 : ¥68.47000
剪切带（CT）
1,000 : ¥38.85906
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
44A（Tc）
10V
40.7 毫欧 @ 44A，10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
7180 pF @ 100 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
IXFA72N30X3
MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA
Littelfuse Inc.
575
现货
1 : ¥80.78000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
72A（Tc）
10V
19 毫欧 @ 36A，10V
4.5V @ 1.5mA
82 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 25 V
-
390W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263AA（IXFA）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
LPTS
RJ1U330AAFRGTL
MOSFET N-CH 250V 33A LPTS
Rohm Semiconductor
1,077
现货
1 : ¥32.43000
剪切带（CT）
1,000 : ¥16.74447
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
33A（Tc）
10V
105 毫欧 @ 16.5A，10V
5V @ 1mA
80 nC @ 10 V
±30V
4500 pF @ 25 V
-
211W（Tc）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LPTS
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2Pak
STB47N50DM6AG
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 500 V
STMicroelectronics
1,963
现货
1 : ¥50.16000
剪切带（CT）
1,000 : ¥25.95168
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
38A（Tc）
10V
71 毫欧 @ 19A，10V
5V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±25V
2300 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 13

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。