单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesMicrochip Technology
系列
-HEXFET®POWER MOS 8™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
60 V75 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Ta），40A（Tc）42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 20A，10V26 毫欧 @ 25A，10V130 毫欧 @ 21A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
68 nC @ 10 V110 nC @ 10 V170 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1920 pF @ 30 V2400 pF @ 25 V6810 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
6.2W（Ta），60W（Tc）110W（Tc）625W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-247 [B]TO-252（DPAK）TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252, (D-Pak)
AOD442G
MOSFET N-CH 60V 13A/40A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
94,854
现货
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.29231
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
13A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 20A，10V
2.7V @ 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
1920 pF @ 30 V
-
6.2W（Ta），60W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR2407TRPBF
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Infineon Technologies
3,490
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.06389
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
42A（Tc）
10V
26 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-247-3-PKG-Series
APT42F50B
MOSFET N-CH 500V 42A TO247
Microchip Technology
66
现货
1 : ¥83.25000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
42A（Tc）
10V
130 毫欧 @ 21A，10V
5V @ 1mA
170 nC @ 10 V
±30V
6810 pF @ 25 V
-
625W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247 [B]
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。