单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
CoolSiC™HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
20 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.2A（Ta），15A（Tc）26A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
31 毫欧 @ 8.5A，4.5V125 毫欧 @ 8.5A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 10µA5.7V @ 3.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V23 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
±12V+18V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
763 pF @ 800 V877 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），9.6W（Tc）136W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-PQFN（2x2）（DFN2020）PG-TO263-7-12
封装/外壳
6-PowerVDFNTO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-PowerVDFN
IRLHS2242TRPBF
MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN
Infineon Technologies
24,975
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.16553
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
7.2A（Ta），15A（Tc）
2.5V，4.5V
31 毫欧 @ 8.5A，4.5V
1.1V @ 10µA
12 nC @ 10 V
±12V
877 pF @ 10 V
-
2.1W（Ta），9.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-PQFN（2x2）（DFN2020）
6-PowerVDFN
CoolSiC_MOSFET
IMBG120R090M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Infineon Technologies
2,597
现货
1 : ¥70.85000
剪切带（CT）
1,000 : ¥40.17931
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
26A（Tc）
-
125 毫欧 @ 8.5A，18V
5.7V @ 3.7mA
23 nC @ 18 V
+18V，-15V
763 pF @ 800 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。