单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ G7Dual Cool™, PowerTrench®OptiMOS™ 6TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V80 V100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A（Ta）10.2A（Ta），33.7A（Tc）15A（Ta）， 97A（Tc）16A（Tc）24A（Ta），162A（Tc）36A（Ta），254A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.35 毫欧 @ 36A，10V2.95 毫欧 @ 24A，10V6 毫欧 @ 25A，10V15.6 毫欧 @ 10A，10V56 毫欧 @ 2A，4.5V150 毫欧 @ 5.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 250µA3.3V @ 50µA4V @ 250µA4V @ 260µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.6 nC @ 4.5 V23 nC @ 10 V30 nC @ 10 V33 nC @ 10 V111 nC @ 10 V273 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
369 pF @ 10 V902 pF @ 400 V1250 pF @ 40 V2500 pF @ 50 V7835 pF @ 50 V20720 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
470mW（Ta）3W（Ta），125W（Tc）3.2W（Ta），156W（Tc）3.6W（Ta），39W（Tc）95W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-Dual Cool™88PG-HDSOP-10-1PG-TDSON-8 FLPowerPAK® 1212-8SOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN10-PowerSOP 模块PowerPAK® 1212-8SC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
23,056
现货
1 : ¥17.32000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.51445
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
15A（Ta）， 97A（Tc）
8V，10V
6 毫欧 @ 25A，10V
3.3V @ 50µA
33 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
3W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMT80080DC
MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
onsemi
9,439
现货
1 : ¥40.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥19.92769
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
36A（Ta），254A（Tc）
8V，10V
1.35 毫欧 @ 36A，10V
4V @ 250µA
273 nC @ 10 V
±20V
20720 pF @ 40 V
-
3.2W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-Dual Cool™88
8-PowerVDFN
8-PQFN
FDMT800100DC
MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL
onsemi
4,763
现货
1 : ¥66.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥35.30999
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
24A（Ta），162A（Tc）
6V，10V
2.95 毫欧 @ 24A，10V
4V @ 250µA
111 nC @ 10 V
±20V
7835 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-Dual Cool™88
8-PowerVDFN
PowerPAK 1212-8
SIS128LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Vishay Siliconix
13,587
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.94691
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
10.2A（Ta），33.7A（Tc）
4.5V，10V
15.6 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1250 pF @ 40 V
-
3.6W（Ta），39W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SOT-323
DMN2053UW-7
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT323
Diodes Incorporated
76,304
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46358
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.9A（Ta）
1.5V，4.5V
56 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 250µA
3.6 nC @ 4.5 V
±12V
369 pF @ 10 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
P/PG-HDSOP-10-1
IPDD60R150G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥26.03000
剪切带（CT）
1,700 : ¥13.45128
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
16A（Tc）
10V
150 毫欧 @ 5.3A，10V
4V @ 260µA
23 nC @ 10 V
±20V
902 pF @ 400 V
-
95W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。