单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
12 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.3A（Ta）25A（Tc）60A（Ta）60A（Tc）211A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V2.5V，8V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 30A，10V2.3 毫欧 @ 25A，10V9.9 毫欧 @ 12A，10V10 毫欧 @ 9.7A，4.5V15.1 毫欧 @ 8A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250µA1.2V @ 250µA1.8V @ 250µA2.2V @ 250µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 4.5 V14.5 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V50.6 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
879 pF @ 15 V1150 pF @ 30 V2426 pF @ 10 V4420 pF @ 15 V7120 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
680mW（Ta）2.8W（Ta），108W（Tc）16W（Tc）66W（Tc）139W（Tc）
供应商器件封装
6-WSON（2x2）8-VSON-CLIP（3.3x3.3）8-VSON-CLIP（5x6）8-VSONP（3x3.3）SC-59-3
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Texas Instruments
54,152
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.27343
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Ta）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 25A，10V
1.8V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4420 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），108W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18543Q3A
MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Texas Instruments
35,427
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.82886
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 12A，10V
2.7V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 30 V
-
66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
6-WSON
CSD17318Q2
MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Texas Instruments
10,601
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.08054
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Tc）
2.5V，8V
15.1 毫欧 @ 8A，8V
1.2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±10V
879 pF @ 15 V
-
16W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-WSON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
SC-59-3
DMN1019USN-13
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Diodes Incorporated
2,676
现货
70,000
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.91906
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
9.3A（Ta）
1.2V，2.5V
10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
800mV @ 250µA
50.6 nC @ 8 V
±8V
2426 pF @ 10 V
-
680mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
CSD18512Q5B
MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
Texas Instruments
3,233
现货
1 : ¥13.63000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.13897
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
211A（Tc）
4.5V，10V
1.6 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
-
±20V
7120 pF @ 20 V
-
139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。