单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Micro Commercial CoRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Tc）22A（Ta），76A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.1mOhm @ 22A，10V110 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA2.5V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1050 pF @ 80 V5850 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta）70W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSOPDPAK
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
HSOP8
RS1E220ATTB1
MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Rohm Semiconductor
8,161
现货
1 : ¥21.67000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.77066
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
22A（Ta），76A（Tc）
4.5V，10V
4.1mOhm @ 22A，10V
2.5V @ 2mA
130 nC @ 10 V
±20V
5850 pF @ 15 V
-
3W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
MBRD6100CT-TP
MCU18P10Y-TP
MOSFET P-CH 100V 18A DPAK
Micro Commercial Co
3,736
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.61949
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18A（Tc）
-
110 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 80 V
-
70W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。