单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
OptiMOS™OptiMOS™-5STripFET™ III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
40 V100 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
61A（Tc）150A（Tc）270A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 80A，10V3.5 毫欧 @ 75A，10V22 毫欧 @ 61A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 110µA4V @ 250µA4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
86 nC @ 10 V87 nC @ 10 V150 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6110 pF @ 50 V7076 pF @ 125 V7500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
166W（Tc）300W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
10-PowerSOPG-HSOF-8-1PG-TO220-3
封装/外壳
8-PowerSFNPowerSO-10 裸露底部焊盘TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6,508
现货
1 : ¥26.27000
剪切带（CT）
2,000 : ¥12.77872
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150A（Tc）
6V，10V
3.5 毫欧 @ 75A，10V
3.8V @ 110µA
87 nC @ 10 V
±20V
6110 pF @ 50 V
-
166W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
TO-220-3
IPP220N25NFDAKSA1
MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3
Infineon Technologies
903
现货
1 : ¥49.34000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
61A（Tc）
10V
22 毫欧 @ 61A，10V
4V @ 270µA
86 nC @ 10 V
±20V
7076 pF @ 125 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
PowerSO-10
STV270N4F3
MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
STMicroelectronics
1,120
现货
1 : ¥45.32000
剪切带（CT）
600 : ¥27.36230
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
270A（Tc）
10V
1.5 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。