单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）162A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 95A，10V2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V7360 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）3.8W（Ta），200W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-323TO-262
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMN601WK-7
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Diodes Incorporated
49,846
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50753
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
TO-262-3
IRF1404LPBF
MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Infineon Technologies
7,647
现货
1 : ¥23.07000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
162A（Tc）
10V
4 毫欧 @ 95A，10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
7360 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。