单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-HEXFET®U-MOSIV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）2.5A（Ta）240A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.25 毫欧 @ 195A，10V107 毫欧 @ 2A，10V1 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA2.8V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7 nC @ 10 V240 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 5 V235 pF @ 30 V9130 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）1W（Ta）380W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAK（7-Lead）SC-70-3（SOT323）SOT-23F
封装/外壳
SC-70，SOT-323SOT-23-3 扁平引线TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
19,022
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99524
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
107 毫欧 @ 2A，10V
2.8V @ 1mA
7 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SC-70-3
MMBF2201NT1G
MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
onsemi
21,573
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78508
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
1 欧姆 @ 300mA，10V
2.4V @ 250µA
-
±20V
45 pF @ 5 V
-
150mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
D2PAK SOT427
IRFS3004TRL7PP
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Infineon Technologies
8,473
现货
1 : ¥32.92000
剪切带（CT）
800 : ¥19.89985
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
240A（Tc）
10V
1.25 毫欧 @ 195A，10V
4V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9130 pF @ 25 V
-
380W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK（7-Lead）
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。