单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiPanjit International Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
154mA（Tj）4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
68 毫欧 @ 6A，10V7 欧姆 @ 154mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 100µA2.5V @ 250µA
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 5 V879 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
300mW（Tj）2.1W（Ta）
供应商器件封装
DFN3333-8SC-75，SOT-416
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-75，SOT-416
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC−75-3_463
NVTA7002NT1G
MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
onsemi
20,730
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.58243
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
154mA（Tj）
2.5V，4.5V
7 欧姆 @ 154mA，4.5V
1.5V @ 100µA
-
±10V
20 pF @ 5 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-75，SOT-416
SC-75，SOT-416
DFN3333-8
PJQ4463AP-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
17,744
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.25694
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.2A（Ta）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 6A，10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
879 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN3333-8
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。