单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.25A（Ta）53A（Ta），378A（Tc）381A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.7 毫欧 @ 50A，10V170 毫欧 @ 1.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13.8 nC @ 10 V94 nC @ 4.5 V128 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
430 pF @ 30 V8400 pF @ 20 V8400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）3.9W（Ta），200W（Tc）188W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）PG-TDSON-8-6SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN，5 引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDN5618P
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
onsemi
19,311
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.14967
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.25A（Ta）
4.5V，10V
170 毫欧 @ 1.25A，10V
3V @ 250µA
13.8 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 30 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC007N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Infineon Technologies
7,874
现货
1 : ¥24.38000
剪切带（CT）
5,000 : ¥11.40444
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
381A（Tc）
4.5V，10V
0.7 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 250µA
94 nC @ 4.5 V
±20V
8400 pF @ 20 V
-
188W
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
8-PowerTDFN, 5 Leads
NVMFS5C404NWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
onsemi
1,500
现货
1 : ¥44.50000
剪切带（CT）
1,500 : ¥23.00382
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
53A（Ta），378A（Tc）
10V
0.7 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
128 nC @ 10 V
±20V
8400 pF @ 25 V
-
3.9W（Ta），200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）
8-PowerTDFN，5 引线
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。