单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-SuperFET® III, FRFET®U-MOSIX-HU-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.8A（Ta）9A（Ta）9.2A（Ta）15A（Ta）31A（Ta），237A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 50A，10V8.9 毫欧 @ 4A，10V16 毫欧 @ 3.6A，4.5V19.5 毫欧 @ 4A，10V53 毫欧 @ 5.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 200µA2V @ 250µA2.1V @ 100µA2.5V @ 100µA3V @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.8 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 4.5 V7.8 nC @ 10 V102.6 nC @ 10 V113 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
520 pF @ 60 V620 pF @ 15 V1130 pF @ 15 V4748 pF @ 10 V7526 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
620mW（Ta）1W（Ta）1.25W（Ta）2.5W（Ta），144W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TA）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-UDFN（2x2）6-UDFNB（2x2）9-TDFN（5x6）U-DFN2523-6
封装/外壳
6-PowerUDFN6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
U-DFN2523-6
DMP2018LFK-7
MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
24,296
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.21161
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
9.2A（Ta）
1.5V，4.5V
16 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1.2V @ 200µA
113 nC @ 10 V
±12V
4748 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
U-DFN2523-6
6-PowerUDFN
43,934
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.33125
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta）
4.5V，10V
8.9 毫欧 @ 4A，10V
2.1V @ 100µA
7.5 nC @ 4.5 V
±20V
1130 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TA）
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
6 UDFN
NVLJS053N12MCLTAG
PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
onsemi
2,627
现货
6,000
工厂
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.41037
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
4.8A（Ta）
4.5V，10V
53 毫欧 @ 5.2A，10V
3V @ 30µA
7.8 nC @ 10 V
±20V
520 pF @ 60 V
-
620mW（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
8 POWER TDFN
NTMFSS1D5N06CL
60V T6 DIE IN 5X6 SOURCE DOWN PA
onsemi
11,928
现货
3,000
工厂
1 : ¥25.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.72800
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
31A（Ta），237A（Tc）
4.5V，10V
1.5 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
102.6 nC @ 10 V
±20V
7526 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），144W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
9-TDFN（5x6）
8-PowerTDFN
376
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64510
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9A（Ta）
4.5V，10V
19.5 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 100µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
620 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。