单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesRohm SemiconductorTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™OptiMOS™OptiMOS™ 6TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
630mA（Ta）6A（Tc）7.7A（Ta）， 31A（Tc）10A（Ta）12A（Ta）14A（Ta），44A（Tc）36A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V3V，8V4.5V，10V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 50A，10V9.3 毫欧 @ 12A，10V10.3 毫欧 @ 10A，8V10.4 毫欧 @ 10A，10V23 毫欧 @ 10A，10V30 毫欧 @ 5A，4.5V32 毫欧 @ 36A，10V400 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.8V @ 250µA2.5V @ 1mA3.3V @ 13µA3.3V @ 50µA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 4.5 V5.1 nC @ 4.5 V8.5 nC @ 4.5 V9.3 nC @ 10 V22 nC @ 10 V29 nC @ 10 V49 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V+10V，-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60.67 pF @ 16 V485 pF @ 10 V690 pF @ 50 V700 pF @ 15 V1100 pF @ 15 V1500 pF @ 15 V2350 pF @ 100 V3375 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
280mW（Ta）2W（Ta）2W（Tc）2.5W（Ta），83W（Tc）2.7W（Ta）3W（Ta）， 48W（Tc）125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）8-VSON-CLIP（3.3x3.3）PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-7SOT-23-3（TO-236）SOT-523
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNSOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMG1012T-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Diodes Incorporated
335,290
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42141
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
CSD1632x Series 8-SON
CSD17308Q3
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Texas Instruments
29,329
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.85948
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14A（Ta），44A（Tc）
3V，8V
10.3 毫欧 @ 10A，8V
1.8V @ 250µA
5.1 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
700 pF @ 15 V
-
2.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC320N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Infineon Technologies
19,900
现货
1 : ¥24.79000
剪切带（CT）
5,000 : ¥11.56146
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
36A（Tc）
10V
32 毫欧 @ 36A，10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-HSMT
RQ3E100BNTB
MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Rohm Semiconductor
82,759
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.12521
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta）
4.5V，10V
10.4 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 15 V
-
2W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
8-HSMT
RQ3E120BNTB
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Rohm Semiconductor
2,822
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.68783
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 1mA
29 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
2W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
10,000
现货
5,000 : ¥3.43434
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7.7A（Ta）， 31A（Tc）
8V，10V
23 毫欧 @ 10A，10V
3.3V @ 13µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
690 pF @ 50 V
-
3W（Ta）， 48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC028N06NSSCATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥20.44000
剪切带（CT）
4,000 : ¥9.22842
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
6V，10V
2.8 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 50µA
49 nC @ 10 V
±20V
3375 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
SOT-23-3
SQ2310ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Vishay Siliconix
17
现货
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.70231
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Tc）
1.5V，4.5V
30 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±8V
485 pF @ 10 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。