单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）7.4A（Ta）64A（Tc）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V6V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.75 毫欧 @ 30A，10V6.6 毫欧 @ 50A，10V18 毫欧 @ 11.7A，10V3 欧姆 @ 115mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA3V @ 250µA3.3V @ 20µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.87 nC @ 10 V21 nC @ 10 V56 nC @ 10 V212 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22 pF @ 25 V1500 pF @ 30 V10895 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）1.5W（Ta）2.5W（Ta），46W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6PowerPAK® 1212-8SOT-23-3TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN65D8L-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
370,263
现货
1,101,000
工厂
1 : ¥1.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.23992
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
5V，10V
3 欧姆 @ 115mA，10V
2V @ 250µA
0.87 nC @ 10 V
±20V
22 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC066N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Infineon Technologies
11,770
现货
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.34090
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
64A（Tc）
6V，10V
6.6 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 20µA
21 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8
SI7423DN-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
6,349
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.20649
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7.4A（Ta）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 11.7A，10V
3V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-263 (D2Pak)
SUM50010E-GE3
MOSFET N-CH 60V 150A TO263
Vishay Siliconix
842
现货
1 : ¥28.98000
带
带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
150A（Tc）
7.5V，10V
1.75 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
212 nC @ 10 V
±20V
10895 pF @ 30 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。