单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
NexFET™OptiMOS™U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）21A（Tc）124A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.3 毫欧 @ 19A，10V11.4 毫欧 @ 8.5A，10V52 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA2.5V @ 200µA4V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V23 nC @ 10 V61 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
890 pF @ 75 V2000 pF @ 30 V4280 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta），34W（Tc）57W（Tc）96W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）8-VSONP（5x6）PG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
33,096
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.40654
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
17A（Tc）
4.5V，10V
11.4 毫欧 @ 8.5A，10V
2.5V @ 200µA
23 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 30 V
-
1.6W（Ta），34W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
BSZ520N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Infineon Technologies
14,325
现货
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.24529
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
21A（Tc）
8V，10V
52 毫欧 @ 18A，10V
4V @ 35µA
12 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 75 V
-
57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18513Q5A
MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON
Texas Instruments
6,279
现货
1 : ¥9.19000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.79168
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
124A（Tc）
4.5V，10V
5.3 毫欧 @ 19A，10V
2.4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
4280 pF @ 20 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。