单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
DeepGATE™, STripFET™ VIOptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 100A，10V6 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 279µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
36 nC @ 10 V222 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2150 pF @ 25 V16900 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
70W（Tc）375W（Tc）
供应商器件封装
DPAKPG-TO263-7
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-7, D2Pak
IPB015N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Infineon Technologies
3,870
现货
1 : ¥56.98000
剪切带（CT）
1,000 : ¥32.33292
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
180A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 279µA
222 nC @ 10 V
±20V
16900 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
MFG_DPAK(TO252-3)
STD80N4F6
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
STMicroelectronics
5,000
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.67623
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
80A（Tc）
10V
6 毫欧 @ 40A，10V
4V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
2150 pF @ 25 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。