单 FET,MOSFET

结果 : 18
制造商
Fairchild SemiconductorInfineon TechnologiesSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
CoolMOS™CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ CFD7ACoolMOS™ CFSDCoolMOS™ P6CoolMOS™ P7EHEXFET®MDmesh™ II PlusSuperFET® II
包装
散装管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
150 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
37A(Tc)47A(Tc)50A(Tc)54A(Tc)60A(Tc)61A(Tc)63A(Tc)68A(Tc)69A(Tc)75A(Tc)76A(Tc)77A(Tc)77.5A(Tc)83.2A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
11 毫欧 @ 62A,10V19 毫欧 @ 58.3A,10V24毫欧 @ 42.4A,10V29 毫欧 @ 35.8A,10V35 毫欧 @ 35.8A,10V37 毫欧 @ 29.5A,10V37 毫欧 @ 32.6A,10V37 毫欧 @ 33.1A,10V39 毫欧 @ 32A,10V40 毫欧 @ 24.9A,10V40 毫欧 @ 34A,10V41 毫欧 @ 24.8A,10V41 毫欧 @ 35.5A,10V41 毫欧 @ 38A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 3.3mA3.5V @ 3mA3.9V @ 2.7mA4V @ 1.08mA4V @ 1.24mA4V @ 1.48mA4V @ 2.92mA4V @ 250µA4V @ 590µA4.5V @ 1.24mA4.5V @ 1.63mA4.5V @ 1.79mA4.5V @ 2.12mA4.5V @ 2.96mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
51 nC @ 10 V90 nC @ 10 V102 nC @ 10 V107 nC @ 10 V118 nC @ 10 V120 nC @ 10 V121 nC @ 10 V126 nC @ 10 V136 nC @ 10 V145 nC @ 10 V170 nC @ 10 V183 nC @ 10 V190 nC @ 10 V215 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2180 pF @ 400 V3891 pF @ 400 V4340 pF @ 400 V4369 pF @ 100 V4975 pF @ 400 V5200 pF @ 100 V5243 pF @ 400 V5270 pF @ 50 V5623 pF @ 400 V6800 pF @ 25 V6800 pF @ 100 V7149 pF @ 400 V7240 pF @ 100 V7268 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
129W(Tc)201W(Tc)227W(Tc)245W(Tc)255W(Tc)305W(Tc)320W(Tc)357W(Tc)380W(Tc)415W(Tc)431W(Tc)446W(Tc)450W(Tc)481W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TO247-3PG-TO247-3-1PG-TO247-3-41PG-TO247-4PG-TO247-4-3TO-220ABTO-247TO-247AC
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果

显示
/ 18
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFB4115PBF
MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Infineon Technologies
10,296
现货
1 : ¥28.24000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
104A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 62A,10V
5V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5270 pF @ 50 V
-
380W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PG-TO247-3
IPW60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Infineon Technologies
867
现货
1 : ¥41.62000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
37A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 11.8A,10V
4V @ 590µA
51 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 400 V
-
129W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IPW60R045P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Infineon Technologies
1,934
现货
1 : ¥55.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
61A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 22.5A,10V
4V @ 1.08mA
90 nC @ 10 V
±20V
3891 pF @ 400 V
-
201W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
PG-TO247-3
SPW47N60C3FKSA1
MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3
Infineon Technologies
634
现货
1 : ¥125.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
47A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 30A,10V
3.9V @ 2.7mA
320 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 25 V
-
415W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
PG-TO247-3
IPW60R045CPFKSA1
MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
Infineon Technologies
1,433
现货
1 : ¥146.46000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
60A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 44A,10V
3.5V @ 3mA
190 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 100 V
-
431W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW65R019C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Infineon Technologies
615
现货
1 : ¥169.53000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
19 毫欧 @ 58.3A,10V
4V @ 2.92mA
215 nC @ 10 V
±20V
9900 pF @ 400 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IPW65R035CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
Infineon Technologies
1,201
现货
1 : ¥62.72000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
63A(Tc)
10V
35 毫欧 @ 35.8A,10V
4.5V @ 1.79mA
145 nC @ 10 V
±20V
7149 pF @ 400 V
-
305W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW70N60M2
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STMicroelectronics
812
现货
1 : ¥75.94000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
68A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 250µA
118 nC @ 10 V
±25V
5200 pF @ 100 V
-
450W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
228
现货
1 : ¥98.27000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
69A(Tc)
10V
29 毫欧 @ 35.8A,10V
4.5V @ 1.79mA
145 nC @ 10 V
±20V
7149 pF @ 400 V
-
305W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-3
TO-247-4
TO-247-3 AC EP
IPW60R024CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 77A TO247-3-41
Infineon Technologies
195
现货
1 : ¥105.98000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
77A(Tc)
10V
24毫欧 @ 42.4A,10V
4.5V @ 2.12mA
183 nC @ 10 V
±20V
7268 pF @ 400 V
-
320W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
364
现货
1 : ¥71.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
50A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 24.8A,10V
4.5V @ 1.24mA
102 nC @ 10 V
±20V
4975 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
167
现货
1 : ¥76.76000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
54A(Tc)
10V
37 毫欧 @ 32.6A,10V
4.5V @ 1.63mA
136 nC @ 10 V
±20V
5623 pF @ 400 V
-
245W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-4
IPZA60R037P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
Infineon Technologies
210
现货
1 : ¥86.04000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
76A(Tc)
10V
37 毫欧 @ 29.5A,10V
4V @ 1.48mA
121 nC @ 10 V
±20V
5243 pF @ 400 V
-
255W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4
TO-247-4
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R040C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Infineon Technologies
1,577
现货
1 : ¥91.37000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
50A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 24.9A,10V
4V @ 1.24mA
107 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
SIHG039N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC
Vishay Siliconix
280
现货
1 : ¥95.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
63A(Tc)
10V
39 毫欧 @ 32A,10V
5V @ 250µA
126 nC @ 10 V
±30V
4369 pF @ 100 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
IFEINFAIGW50N65F5XKSA1
FCH041N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Fairchild Semiconductor
163
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
76A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 38A,10V
5V @ 250µA
304 nC @ 10 V
±20V
13566 pF @ 25 V
-
595W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW65R037C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Infineon Technologies
50
现货
1 : ¥96.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
83.2A(Tc)
10V
37 毫欧 @ 33.1A,10V
3.5V @ 3.3mA
330 nC @ 10 V
±20V
7240 pF @ 100 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R041P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥97.12000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
77.5A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 35.5A,10V
4.5V @ 2.96mA
170 nC @ 10 V
±20V
8180 pF @ 100 V
-
481W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
显示
/ 18

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。