单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Littelfuse Inc.Rohm Semiconductor
系列
-Linear L2™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 100A，10V1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA4.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 4.5 V540 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
115 pF @ 10 V23000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）1040W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-264（IXTK）UMT3F
封装/外壳
SC-85TO-264-3，TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-264
IXTK200N10L2
MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Littelfuse Inc.
524
现货
1 : ¥306.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 100A，10V
4.5V @ 3mA
540 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 25 V
-
1040W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-264（IXTK）
TO-264-3，TO-264AA
UMT3F
RU1C002ZPTCL
MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
157,231
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.38482
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，4.5V
1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 100µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
115 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
UMT3F
SC-85
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。