单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
AlphaMOSMDmesh™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V150 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A（Ta），23A（Tc）6.5A（Tc）19A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.9 毫欧 @ 50A，10V54 毫欧 @ 5A，10V1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 250µA2.8V @ 36µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 10 V20 nC @ 10 V27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
620 pF @ 25 V675 pF @ 75 V2000 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），69W（Tc）6.2W（Ta），75W（Tc）90W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKPG-TDSON-8-6TO-252（DPAK）
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC039N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Infineon Technologies
15,159
现货
1 : ¥14.12000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.14295
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
19A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
3.9 毫欧 @ 50A，10V
2.8V @ 36µA
27 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
TO-252-3
AOD2544
MOSFET N-CH 150V 6.5A/23A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
9,612
现货
1 : ¥9.19000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.79154
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
6.5A（Ta），23A（Tc）
4.5V，10V
54 毫欧 @ 5A，10V
2.7V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
675 pF @ 75 V
-
6.2W（Ta），75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD7NM80
MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK
STMicroelectronics
4,293
现货
1 : ¥28.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥13.69858
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
6.5A（Tc）
10V
1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±30V
620 pF @ 25 V
-
90W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。