单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Microchip Technology
系列
-AlphaSGT™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
80 V450 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 20A，10V20 欧姆 @ 150mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.2V @ 250µA-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
360 pF @ 25 V4940 pF @ 40 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）215W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN（5x6）TO-243AA（SOT-89）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线TO-243AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C04-029 MB
DN3545N8-G
MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Microchip Technology
30,296
现货
1 : ¥8.13000
剪切带（CT）
2,000 : ¥6.15736
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
450 V
200mA（Ta）
0V
20 欧姆 @ 150mA，0V
-
-
±20V
360 pF @ 25 V
耗尽模式
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
8-DFN
AON6276
MOSFET N-CHANNEL 80V 100A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥21.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.60558
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
6V，10V
2.6 毫欧 @ 20A，10V
3.2V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
4940 pF @ 40 V
-
215W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。