单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
EPCInfineon Technologies
系列
eGaN®OptiMOS™OptiMOS™-5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Ta）100A（Tc）114A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 毫欧 @ 50A，10V7.3 毫欧 @ 57A，10V100 毫欧 @ 3A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 49µA2.5V @ 1mA4.6V @ 160µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.3 nC @ 5 V30 nC @ 4.5 V61 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
140 pF @ 100 V4400 pF @ 30 V4700 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
83W（Tc）214W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7PG-TO263-3-2模具
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC027N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Infineon Technologies
745
现货
1 : ¥19.29000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.36036
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
4.5V，10V
2.7 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 49µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4400 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
17,516
现货
1 : ¥30.70000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.05701
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
5A（Ta）
5V
100 毫欧 @ 3A，5V
2.5V @ 1mA
1.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB073N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Infineon Technologies
2,416
现货
1 : ¥39.98000
剪切带（CT）
1,000 : ¥20.66137
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
114A（Tc）
8V，10V
7.3 毫欧 @ 57A，10V
4.6V @ 160µA
61 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 75 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。