单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
TrenchFET®UltraFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.1A（Tc）8.8A（Ta），22A（Tc）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.2 毫欧 @ 15A，10V16.5 毫欧 @ 8.8A，10V126 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.4 nC @ 10 V40 nC @ 10 V135 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
196 pF @ 50 V2490 pF @ 40 V5125 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta），2.5W（Tc）2.5W（Ta），78W（Tc）5W（Ta），48W（Tc）
供应商器件封装
8-MLP（5x6），Power56PowerPAK® SO-8SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerWDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7149ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
29,807
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.71766
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
5.2 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±25V
5125 pF @ 15 V
-
5W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-MLP, Power56
FDMS3572
MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP
onsemi
12,756
现货
1 : ¥21.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.84159
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
8.8A（Ta），22A（Tc）
6V，10V
16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
4V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2490 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（5x6），Power56
8-PowerWDFN
SOT-23-3
SI2392ADS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.43710
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.1A（Tc）
4.5V，10V
126 毫欧 @ 2A，10V
3V @ 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
196 pF @ 50 V
-
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。