RF FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
频率
1.03GHz1.09GHz
增益
20.3dB25dB
电流 - 测试
10 mA100 mA
功率 - 输出
10W275W
安装类型
底座安装表面贴装型
封装/外壳
PLD-1.5SOT-957A
供应商器件封装
NI-780H-2LPLD-1.5
库存选项
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媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
频率
增益
电压 - 测试
额定电流（安培）
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PLD-1.5 Series
MRF6V10010NR4
RF MOSFET LDMOS 50V PLD-1.5
NXP USA Inc.
251
现货
1 : ¥785.57000
剪切带（CT）
100 : ¥674.03770
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
LDMOS
1.09GHz
25dB
50 V
-
-
10 mA
10W
100 V
表面贴装型
PLD-1.5
PLD-1.5
MRF6V12250HR5
MRF6V12250HR5
RF MOSFET LDMOS 50V NI780
NXP USA Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥3,194.40000
剪切带（CT）
50 : ¥2,972.52900
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
LDMOS
1.03GHz
20.3dB
50 V
-
-
100 mA
275W
100 V
底座安装
SOT-957A
NI-780H-2L
显示
/ 2

RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。