单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-QFET®TrenchFET®TrenchFET® Gen IIITrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
670mA（Tc）4.6A（Ta），6A（Tc）23.3A（Ta），104A（Tc）45.6A（Ta）60A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 20A，10V4.8 毫欧 @ 20A，10V5.5 毫欧 @ 15A，10V9.3 毫欧 @ 30A，10V39 毫欧 @ 4.6A，4.5V2.7 欧姆 @ 335mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8 nC @ 10 V25 nC @ 4.5 V81 nC @ 10 V111 nC @ 10 V135 nC @ 10 V240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
250 pF @ 25 V1090 pF @ 10 V3750 pF @ 50 V4380 pF @ 15 V5900 pF @ 30 V9200 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta），2.5W（Tc）2.4W（Ta），250W（Tc）2.5W（Tc）6.25W（Ta），125W（Tc）65.8W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8DCSOT-223-4SOT-23-3（TO-236）TO-220AB
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SIDR626LDP-T1-RE3
SIDR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Vishay Siliconix
1,005
现货
1 : ¥23.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.82641
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
45.6A（Ta）
4.5V，10V
1.5 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
5900 pF @ 30 V
-
6.25W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
TO-220AB
SUP90P06-09L-E3
MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
Vishay Siliconix
1,864
现货
1 : ¥43.92000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 25 V
-
2.4W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
SOT-23(TO-236)
SI2323CDS-T1-BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
15,117
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.25607
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.6A（Ta），6A（Tc）
1.8V，4.5V
39 毫欧 @ 4.6A，4.5V
1V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±8V
1090 pF @ 10 V
-
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8S
SISS67DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
3,764
现货
1 : ¥8.70000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.59135
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Tc）
4.5V，10V
5.5 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
111 nC @ 10 V
±25V
4380 pF @ 15 V
-
65.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK 8 x 8
SIDR668ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Vishay Siliconix
7,231
现货
1 : ¥19.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.82699
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23.3A（Ta），104A（Tc）
7.5V，10V
4.8 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
3750 pF @ 50 V
-
6.25W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
SOT-223-4
FQT3P20TF
MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
onsemi
212
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.59479
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
670mA（Tc）
10V
2.7 欧姆 @ 335mA，10V
5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±30V
250 pF @ 25 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。