单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesRohm SemiconductorTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
25 V30 V60 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.16A（Ta）3.8A（Ta）5A（Tc）15A（Ta），56A（Tc）25A（Tc）60A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，8V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.7 毫欧 @ 90A，10V7.5 毫欧 @ 17A，8V9.9 毫欧 @ 12A，10V24 毫欧 @ 4A，8V47 毫欧 @ 3.2A，10V47 毫欧 @ 3.5A，10V60 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.55V @ 250µA1.8V @ 250µA2.5V @ 1mA2.7V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.8 nC @ 4.5 V4.5 nC @ 5 V6.6 nC @ 4.5 V7.7 nC @ 10 V14.5 nC @ 10 V28 nC @ 10 V29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
305 pF @ 15 V318 pF @ 15 V340 pF @ 12.5 V955 pF @ 15 V1150 pF @ 30 V1950 pF @ 30 V2350 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）950mW（Ta）2.3W（Ta）2.7W（Ta）3W（Ta），73W（Tc）66W（Tc）125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-SON8-HSOP8-VSON-CLIP（3.3x3.3）8-VSONP（3x3.3）PG-TDSON-8-1SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
6-SMD，扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
CSD-6-SON Pkg
CSD16301Q2
MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Texas Instruments
20,216
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.32358
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
5A（Tc）
3V，8V
24 毫欧 @ 4A，8V
1.55V @ 250µA
2.8 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
340 pF @ 12.5 V
-
2.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-SON
6-SMD，扁平引线
8-Power TDFN
CSD18543Q3A
MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Texas Instruments
35,727
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.82897
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 12A，10V
2.7V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 30 V
-
66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-1
BSC600N25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
Infineon Technologies
7,450
现货
1 : ¥27.42000
剪切带（CT）
5,000 : ¥12.78882
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
25A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
SOT-23-3
ZXMN3F30FHTA
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
100,952
现货
24,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.04634
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
47 毫欧 @ 3.2A，10V
3V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±20V
318 pF @ 15 V
-
950mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2306BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Vishay Siliconix
16,086
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.58997
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.16A（Ta）
4.5V，10V
47 毫欧 @ 3.5A，10V
3V @ 250µA
4.5 nC @ 5 V
±20V
305 pF @ 15 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
CSD1632x Series 8-SON
CSD17304Q3
MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON
Texas Instruments
5,710
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.86572
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta），56A（Tc）
3V，8V
7.5 毫欧 @ 17A，8V
1.8V @ 250µA
6.6 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
955 pF @ 15 V
-
2.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
MFG_RS6P060BHTB1
RS6L090BGTB1
NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Rohm Semiconductor
2,014
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.81984
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
4.5V，10V
4.7 毫欧 @ 90A，10V
2.5V @ 1mA
28 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 30 V
-
3W（Ta），73W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。